南亚科法说会释利多：盈利转正、资本支出飙升至500亿的背后

记忆体大厂南亚科(2408)于近期举行线上法说会，公布2025年第四季财报并释出2026年营运展望。整场说明会的核心讯息直指一个关键转折：南亚科不仅实现了转亏为盈，更宣布将资本支出从134亿元激增至500亿元，全力推进10纳米级新厂建设。这场转身背后，反映出AI浪潮驱动下，DRAM产业结构性供需失衡的重大机遇。

Q4获利创新高 单季EPS达3.58元 扭转连年亏损

南亚科2025年第四季展现强劲复苏动能，各项财务指标昭示着DRAM产业已正式告别漫长的库存去化周期。该季合并营收达新台币300.94亿元，季增高达60.3%；归属于母公司税后净利为110.83亿元，单季每股盈余(EPS)创下3.58元的新高纪录，不仅较前季成长逾六倍，更改写了近20个季度以来的营运低谷。

这份成绩单特别亮眼的地方在于毛利率的大幅反弹。从上季的18.5%跃升至49.0%，这近30个百分点的跳升反映出两股核心驱动力同时发力。首先，供给侧的产能转移效应带动传统DRAM平均销售价格季涨幅逾30%；其次，DDR5渗透率提升与高阶产品组合优化进一步强化了边际贡献。

纵观2025年全年，南亚科累计合并营收665.87亿元，全年EPS结算为2.13元，正式终结连续两年的年度亏损困局。这个数字对南亚科而言意义重大——它不仅标志着产业周期的转折点，也为接下来的激进投资计划奠定了基础。

DRAM市场供给吃紧 DDR5渗透率驱动价格走升

南亚科总经理李培瑛在法说会中指出，2026年DRAM市场将延续结构性供需失衡的格局。这种失衡源于供给侧与需求侧的双重错位。

在需求端，AI效应正由云端向边缘端扩散。AI服务器对高阶产能的持续吸纳使得DDR5及新型记忆体规格处于常态化缺货状态。与此同时，终端市场正迎来硬件规格升级潮，AI PC与生成式AI手机的单机搭载容量显著提升，加上消费性电子应用的稳健复苏，共同支撑着整体位元需求的强劲增长。

供给端的关键变量则源于产能结构的重组。全球三大原厂(三星、SK海力士、美光)战略性地将大量产能转向高带宽记忆体(HBM)生产。由于HBM的投片量相较标准型DRAM消耗比约高2至3倍，这种产能转向效应导致传统型DRAM的供给量出现断崖式受限，进一步加剧了市场紧张局势。南亚科预期2026年第一季DRAM合约价将维持上行趋势，尽管单季涨幅难以重现第四季的极端斜率，但在买方库存水位偏低与供应商控片立场坚定的双重支撑下，上升通道依然明确。值得留意的是，DDR4因出现结构性供给缺口，其报价韧性与涨幅力度有望领先其他规格。

资本支出激增至500亿 南亚科加速推进10纳米制程布局

本次法说会的另一重磅讯息在于投资规模的惊人扩张。南亚科正式宣布将2026年度资本支出上调至新台币500亿元，较前一年度大幅扩张2.7倍。这项激进的投资决策充分展现了公司在获利结构改善后，由稳健经营转向加速技术更迭的战略决心。

在资金配置逻辑上，南亚科采取基础设施先行的模式。总预算的70%投入泰山新厂的厂务系统建置与高规格无尘室工程，其余30%则用于关键生产设备的采购与装机。根据营运时程规划，泰山新厂预计于2027年第一季启动设备装机，并于同年上半年底前达成量产目标。至2028年上半年，月投片量将提升至2万片规模，制程技术将直接跨入10纳米级第三代(1C)及第四代(1D)节点，以优化位元产出率与产品能效。

在产品组合的先进布局方面，南亚科已顺利完成128GB DDR5 RDIMM的技术验证，并积极投入客制化AI专案开发。此举标志着公司正加速缩减与全球三大原厂在AI基础设施供应链中的技术断层，力求在高价值记忆体市场中取得关键竞争地位。

股价冲上275元历史高位 后市面临两大变量

在法说会召开前，南亚科股价已先行「预热」。随着转亏为盈利好的逐步确认，股价开盘后迅速跳空大涨，并封死涨停板至275.0元，创下历史新高。然而，后续股价走势将取决于两大关键变量。

其一为利多兑现后的卖压。由于南亚科目前被列为处置股，买盘力道受限。部分短线资金可能在利好确认后逢高获利了结，导致股价短期内在高位区间震荡。其二为估值重新定锚。美系外资近日将台系记忆体族群目标价全面上调，以2026年EPS预估与高达49%的毛利率来看，南亚科的PB值仍有进一步上修的空间。

短线虽因处置期间及涨幅已大而有回档压力，但在第一季报价续涨与DDR5渗透率提升的基本面支撑下，南亚科股价长线趋势依旧看好。

值得高度关注的风险因素是，500亿元的庞大资本支出将带来巨额折旧费用。未来两年，南亚科的营业利润必须维持高档水位，才足以支撑此规模投资计划带来的财务压力。换言之，南亚科面临的真正考验不在过去一季的华丽转身，而在于能否在产业景气高峰期内，通过持续的产能扩张与产品升级，巩固市场地位，为长期竞争力的提升奠定基础。