南亞科法説會釋利多：獲利轉正、資本支出飆升至500億的背後

記憶體大廠南亞科(2408)於近期舉行線上法説會，公布2025年第四季財報並釋出2026年營運展望。整場說明會的核心訊息直指一個關鍵轉折：南亞科不僅實現了轉虧為盈，更宣布將資本支出從134億元激增至500億元，全力推進10奈米級新廠建設。這場轉身背後，反映出AI浪潮驅動下，DRAM産業結構性供需失衡的重大機遇。

Q4獲利創新高 單季EPS達3.58元 扭轉連年虧損

南亞科2025年第四季展現強勁復甦動能，各項財務指標昭示著DRAM産業已正式告別漫長的庫存去化周期。該季合併營收達新台幣300.94億元，季增高達60.3%；歸屬母公司稅後淨利為110.83億元，單季每股盈餘(EPS)創下3.58元的新高紀錄，不僅較前季成長逾六倍，更改寫了近20個季度以來的營運低谷。

這份成績單特別亮眼的地方在於毛利率的大幅反彈。從上季的18.5%躍升至49.0%，這近30個百分點的跳升反映出兩股核心驅動力同時發力。首先，供給側的産能轉移效應帶動傳統DRAM平均銷售價格季漲幅逾30%；其次，DDR5滲透率提升與高階産品組合優化進一步強化了邊際貢獻。

縱觀2025年全年，南亞科累計合併營收665.87億元，全年EPS結算為2.13元，正式終結連續兩年的年度虧損困局。這個數字對南亞科而言意義重大——它不僅標誌著産業周期的轉折點，也為接下來的激進投資計畫奠定了基礎。

DRAM市場供給吃緊 DDR5滲透率驅動價格走升

南亞科總經理李培瑛在法説會中指出，2026年DRAM市場將延續結構性供需失衡的格局。這種失衡源於供給側與需求側的雙重錯位。

在需求端，AI效應正由雲端向邊緣端擴散。AI伺服器對高階産能的持續吸納使得DDR5及新型記憶體規格處於常態化缺貨狀態。與此同時，終端市場正迎來硬體規格升級潮，AI PC與生成式AI手機的單機搭載容量顯著提升，加上消費性電子應用的穩健復甦，共同支撐著整體位元需求的強勁增長。

供給端的關鍵變數則源於産能結構的重組。全球三大原廠(三星、SK海力士、美光)戰略性地將大量産能轉向高頻寬記憶體(HBM)生産。由於HBM的投片量相較標準型DRAM消耗比約高2至3倍，這種産能轉向效應導致傳統型DRAM的供給量出現斷崖式受限，進一步加劇了市場緊張局勢。南亞科預期2026年第一季DRAM合約價將維持上行趨勢，儘管單季漲幅難以重現第四季的極端斜率，但在買方庫存水位偏低與供應商控片立場堅定的雙重支撐下，上升通道依然明確。值得留意的是，DDR4因出現結構性供給缺口，其報價韌性與漲幅力道有望領先其他規格。

資本支出激增至500億 南亞科加速推進10奈米製程佈局

本次法説會的另一重磅訊息在於投資規模的驚人擴張。南亞科正式宣布將2026年度資本支出上調至新台幣500億元，較前一年度大幅擴張2.7倍。這項激進的投資決策充分展現了公司在獲利結構改善後，由穩健經營轉向加速技術更迭的戰略決心。

在資金配置邏輯上，南亞科採取基礎設施先行的模式。總預算的70%投入泰山新廠的廠務系統建置與高規格無塵室工程，其餘30%則用於關鍵生産設備的採購與裝機。根據營運時程規劃，泰山新廠預計於2027年第一季啟動設備裝機，並於同年上半年底前達成量産目標。至2028年上半年，月投片量將提升至2萬片規模，製程技術將直接跨入10奈米級第三代(1C)及第四代(1D)節點，以優化位元産出率與産品能效。

在産品組合的先進佈局方面，南亞科已順利完成128GB DDR5 RDIMM的技術驗證，並積極投入客製化AI專案開發。此舉標誌著公司正加速縮減與全球三大原廠在AI基礎設施供應鏈中的技術斷層，力求在高價值記憶體市場中取得關鍵競爭地位。

股價衝上275元歷史高位 後市面臨兩大變數

在法説會召開前，南亞科股價已先行「預熱」。隨著轉虧為盈利好的逐步確認，股價開盤後迅速跳空大漲，並封死漲停板至275.0元，創下歷史新高。然而，後續股價走勢將取決於兩大關鍵變數。

其一為利多兌現後的賣壓。由於南亞科目前被列為處置股，買盤力道受限。部分短線資金可能在利好確認後逢高獲利了結，導致股價短期內在高位區間震盪。其二為估值重新定錨。美系外資近日將台系記憶體族群目標價全面上調，以2026年EPS預估與高達49%的毛利率來看，南亞科的PB值仍有進一步上修的空間。

短線雖因處置期間及漲幅已大而有回檔壓力，但在第一季報價續漲與DDR5滲透率提升的基本面支撐下，南亞科股價長線趨勢依舊看好。

值得高度關注的風險因素是，500億元的龐大資本支出將帶來巨額折舊費用。未來兩年，南亞科的營業利潤必須維持高檔水位，才足以支撐此規模投資計畫帶來的財務壓力。換言之，南亞科面臨的真正考驗不在過去一季的華麗轉身，而在於能否在產業景氣高峰期內，透過持續的產能擴張與產品升級，鞏固市場地位，為長期競爭力的提升奠定基礎。